دانش و فناوری

ارتقا چشم گیر حافظه های HBM با استاندارد جدید JEDEC

ارتقا چشم گیر حافظه های HBM با استاندارد جدید JEDEC

با اضافه شدن لایه های جدید در مکانیزم Die-Stacking برای تولید حافظه های پویای HBM، نسل جدید حافظه ها سرعت و ظرفیت بسیار بالاتری را ارانه می دهند.

موسسه ی JEDEC که مرجع تدوین ضوابط و استانداردها برای تولید محصولات میکروالکترونیکی است، این هفته یک نسخه جدید از سند استاندارد JESD235 خود را که حاوی شرح جزئیات مربوط به حافظه های HBM و HBM2DRAM بود، منتشر کرد. اکنون تولیدکنندگان حافظه در چارچوب استانداردهای این سند قادر خواهند بود تا ظرفیت پشته های HBM را تا ۲۴ گیگابایت بالا رفتن داده و پهنای باند هر پشته را نیز تا سقف ۳۰۷ گیگابایت برثانیه ارتقاء دهند.

نسخه ی جدید سند مشخصات استاندارد که با JESD235B  کدگذاری گردیده است، به طورخاص در بخش ظرفیت حافظه ها، مجوز استفاده از فناوری ۱۲ لایه ای ۱۲-Hi در پشته های تراشته ها را صادر نموده است. حال تولیدکنندگان در این مقطع می توانند با بالا رفتن چهار لایه به پشته های حافظه، نسبت به سقف تعیین شده ی هشت لایه ای قبلی (۸-Hi)، پشته های ۱۲ گیگابایتی را با تراکم فعلی تولید کرده و در آینده هم وقتی که استاندارد ۱۶ لایه ای تصویب شود، آن ها را تا ۲۴ گیگابایت ارتقاء خواهند داد. این نکته که اکنون پشته های ۱۲-Hi از مشخصه های حافظه های HBM هستند، مهم و قابل توجه است؛ اما صحبتی از ابعاد فیزیکی این پردازنده های Hi-12 KGSD که با این استاندارد جدید ساخته می شوند، نگردیده است. لذا اکنون نمی توان گفت ابعاد این حافظه های جدید با پشته های ۱۲-Hi هم مثل حافظه ها با معماری ۲، ۴ و ۸ لایه ای در همان بازه ی ۷۲۰ تا ۷۴۵ نانومتری خواهد بود یا اینکه ترکیب تازه ای خواهند داشت. از سوی دیگر، بدون اینکه معماری خود پشته ها تغییری کرده باشد، ظرفیت انتقال کانال ها در KGSD جدید مثل رابط های فیزیکی ۱۰۲۴بیتی، تا ۸ کانال ۱۲۸ بیتی ارتقاء یافته است.

ارتقا چشم گیر حافظه های HBM با استاندارد جدید JEDEC
ارتقا چشم گیر حافظه های HBM با استاندارد جدید JEDEC

از منظر نرخ انتقال داده نیز حافظه های HBM از ۲ گیگابیت برثانیه که در استاندارد با کد JESD235A برخوردار بودند، اکنون به ۲.۴ گیگابیت برثانیه در هر پین رسیده اند (معادل ۳۰۷ گیگابایت در هر پشته). البته باید به یاد داشت که این سرعت ۲.۴ گیگابیت برثانیه قبل از این به طور غیررسمی در حافظه های Aquabolt  سامسونگ و SKHynix (از نوع HBM2) روی ولتاژ ۱.۲ وجود داشت، پس از نظر کارکرد واقعی تغییر چندانی رخ نداده است؛ اما اکنون که این موضوع با انتشار این سند استاندارد کاملاً مجاز شمرده خواهد شد، باقی تولیدکنندگان DRAM نیز محصولات با سرعت ۲.۴ را تولید و عرضه خواهند کرد.

به طور کلی می توان گفت با ارائه ی این استاندارد جدید از سوی JEDEC، یک حافظه ی HBM از نوع ۴۰۹۶ بیتی که با استاندارد JESD235B ساخته خواهد شد، می تواند ظرفیتی تا ۹۶ گیگابایت و بیشینه ی پهنای باند ۱.۲۸۸ ترابایت برثانیه داشته باشد.

تا به امروز هیچ محصولی از نوع ۱۲-Hi معرفی نگردیده است، لذا باید ببینیم چه زمانی سازندگان حافظه این نوع ارتقاءیافته ی تراشه های HBM خود را تولید و عرضه می کنند. تا آن زمان نیز اینکه JEDEC استاندارد تازه ای برای پشته های بزرگ تر ارائه کند، بعید به نظر می رسد.

نظر شما

instagram default popup image round
Follow Me
502k 100k 3 month ago
Share